技术编号:6924587
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基底制程装置(substrate processingapparatus),更具体地,涉 及一种使用等离子体的基底制程装置。背景技术半导体器件在硅基底上具有多个层。这些层通过沉积制程而沉积在基底上。所述 沉积制程具有多个重要的问题,这些问题在评价沉积膜和选择沉积方法时很重要的。其中一个重要问题是沉积膜的质量。该质量包括成分、污染水平、缺陷密度以及机 械和电气特性。膜的成分可根据沉积条件改变,这对于获得一个特定的成分是很重要的。另一个重要问题是...
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