技术编号:6924674
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用作为电子器件材料或发光材料的微小尺寸的硅点的形成方法,即作 为粒径大概在Inm IOnm左右的微小硅晶粒、也被成为是纳米硅晶粒或纳米硅粒子的形成方法。背景技术例如,日本专利特开2006-176859号公报中记载了一种纳米硅晶结构体的制造方 法,该方法在第一工序中,利用热CVD法生长粒径在IOnm以下的纳米硅晶粒,在第二工序 中,将纳米硅晶粒的表面氧化或氮化,在第三工序中,以高于纳米硅晶粒的生长温度的高温 进行热处理,重复该第一 第三工序,直至得...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。