技术编号：6924740
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。示例实施方式涉及利用场效应和磁场效应的自旋晶体管。 背景技术当半导体器件制造到纳米级时，载流子迁移率的增大速率不能跟上半导体器件的 增大速率，尽管器件尺寸减小，但是对功率的要求不会减小。为了解决这些问题，已经提出 利用电子自旋的技术。因而，自旋晶体管由于自旋极化的电子的移动而开启，需要用于移动电子的功率 较小，开启速度可以较快。发明内容技术问题示例实施例涉及一种自旋晶体管，其中通过控制沟道来控制注入的自旋极化电子 的通道。示例实施例涉及操作该自旋晶体管的方...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。