技术编号：6924917
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电子器件，并且更具体的，涉及一种由间接带隙半导体材料制造的 发光器件以及一种在间接带隙半导体材料中产生光的方法。背景技术在US 6，111,271中公开了一种由间接带隙半导体材料(诸如，硅)制造的多端发 光器件。该多端器件包括第一 pn结以及第二 pn结。在使用中，端子被设置来将第一结反 向偏置为雪崩或场发射模式以产生光，并将第二结正向偏置，以将“冷”载流子注入到雪崩 或场发射区域中，从而引起该“冷”载流子和通过雪崩或场发射激励的“热”载流子的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。