技术编号:6925155
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微纳电子器件电路,特别是涉及一种碳纳米管“或”门逻辑器件及其制备方法。首先,高密度的集成器件工作时将散发出大量热量。如果散热问题不得到很好的解决,将极大地影响集成电路的性能和可靠性。其次,受半导体本身特性的限制,集成电路的运算速度很难再有所提高。以N沟道增强性绝缘栅型场效应管为例,其本征延迟为111ps(本征延迟是指载流子通过沟道的输运所引起的大信号延迟,即沟道从零电荷充电到沟道稳定电荷Qc所需要的时间。)。在一个很大的系统中,各个器件之间延迟的...
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