技术编号:6925330
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施方案涉及。 背景技术第III-V族氮化物半导体已经广泛用于光学器件如蓝色和绿色发光二极管 (LED)、高速开关装置如金属半导体场效应晶体管(MOSFET)和异质结型场效应晶体管 (HEMT),以及照明设备或显示设备的光源等。特别地,使用第III族氮化物半导体的发光器 件具有对应于可见光到紫外线范围的直接过渡型带隙以实现高效发光。氮化物半导体主要用于LED或激光二极管(LD)。已经持续进行研究来改善制造工 艺或发光效率。发明内容技术问题实施方案提供...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。