技术编号:6925346
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光器件,其具有掺杂的晶片键合界面和/或较少吸收的蚀刻停止层。相关技术描述发光二极管(LED)在需要低功耗、小尺寸和高可靠性的许多应用中作为光源而被 广为接受。发射可见光谱的黄绿色到红色区域内的光的能量有效二极管包含由AlGalnP合 金形成的有源层。图1和图2示出了常规透明衬底(TS)AlGalnP LED的制作。在图1中,在 典型地为GaAs的半导体衬底10上生长诸如1000人!!-工!^力知孑层的蚀刻停止层12。在蚀 刻停止层12上生...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。