技术编号:6925380
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有光提取结构的半导体发光器件背景相关技术描述包含发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL) 和边发射激光器的半导体发光器件属于当前可获得的最高效的光源。在能够跨过可见光谱 操作的高亮度发光器件的制造中,当前感兴趣的材料体系包含III-V族半导体,特别是镓、 铝、铟和氮的二元、三元和四元合金,它们也称为III族氮化物材料。典型地,III族氮化物 发光器件是利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)...
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