技术编号：6925462
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的参考本发明要求享有于2007年12月19日提交的美国临时申请第61/014，871号的优 先权，其全部内容结合于此，作为参考。背景技术本发明涉及半导体技术，具体而言，涉及形成具有宽上部和窄下部的沟道的方法。在半导体工业中，诸如功率沟道MOSFET和IGBT的功率沟道场效应晶体管(FET) 是众所周知的。功率沟道FET的其中一种为垂直传导的沟道FET，图1中示出其简化的截面 图。MOSFET 100具有每个都包括通过栅极电介质110与主体区114绝...
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