技术编号:6925585
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及气体化学物以及在氧化物层中等离子体蚀刻高纵横比接触 (HARC)的方法。背景技术在半导体装置中,例如二氧化硅(SiO2)的绝缘层、例如BPSG的经掺杂氧化物,和 氮化硅用于电分离导电层,例如经掺杂多晶硅、金属、耐火金属硅化物等。高纵横比接触 (HARC)蚀刻是用于在高密度集成装置中形成穿过绝缘层到活性装置区域或导电层的接触 孔互连件的关键工艺。HARC需要产生垂直轮廓和经界定的临界尺寸(⑶)的蚀刻工艺。HARC 特征在电介质中的另一应是在...
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