技术编号：6925609
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用激光照射对被照射物的表面进行退火处理的激光退火方法以及直O背景技术近年来，对形成在玻璃等绝缘基板上的非晶半导体膜或结晶性半导体膜采用激光 退火，制作高性能的薄膜晶体管。玻璃基板与以往经常使用的石英基板相比较，具有价格低 廉、加工性优越、能够实现大面积化这样的优点。在半导体膜的结晶化中使用激光的原因在 于，玻璃基板的融点为600°c以下，但若使用激光，则能够不对玻璃基板加热就使非晶半导 体膜溶融、结晶化。采用激光退火形成的晶体硅膜具有较高的迁移...
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