技术编号:6925617
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般来说涉及一种供在半导体中使用的硫族化物相变装置及一种使用激 光激活所述装置的方法。背景技术此项技术中已知使用激光来切割半导体上的熔丝。当前,激光熔丝由例如Al、Cu 及W等金属制成。这些熔丝是通过将单个脉冲的激光能量注入其中以熔化、汽化或融化熔 丝材料而熔断。用激光熔断这些熔丝以在物理上移除熔丝材料,借此产生开路。举例来说, 通过熔断特定熔丝图案,可用设计到每一芯片中的额外冗余功能存储器单元来替换故障存 储器单元。所述熔丝还可用于其它目的,例如细...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。