技术编号：6925656
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及相变存储元件、相变存储单元、真空处理设备及相变存储元件的制造 方法。背景技术可将半导体存储元件归类为两种领域，即易失性存储和非易失性存储，而两种存 储都需要连续供电以维持数据。闪速存储作为非易失性存储的典型例子不需要电功率来维 持数据。因此，闪速存储最常用作非易失性存储。然而，随着闪速存储的微图案化进展，最 近提出了包括更先进的微图案化、速度和可靠性的非易失性存储技术来取代闪速存储。相变存储元件作为一种下一代技术，是能够直接覆写和快速转化的电驱动...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。