技术编号：6925808
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。实施方式涉及光电探测器及其制备方法。 背景技术SOI (绝缘体上硅)上的锗(Germanium-on-SOI)，或通常缩写为Ge-on-S0I，由于其 与现有的CMOS技术的集成兼容性，以及较大的吸收系数，通常用于近红外光光电探测应用 中。p-i-nGe光电探测器显示出对850nm的波长λ处的光吸收的优异的反应率和量子效 率，并且具有对波长更长的长波段(L-band)光电探测(λ = 1561-1620nm)的潜能。在传 统的光电探测器中，使用金属-半导体...
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