技术编号:6925897
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及大功率发光器件的制备;尤其涉及一种用晶片邦定方法制备基于 III-V族氮化物半导体材料的大功率发光二极管阵列的技术。所公开的方法提高了大功率 发光器件的良率。背景技术发光二极管(LED),一种电流通过时会发光的器件,在最近几十年来随着技术进步 用途愈加广泛。早期的LED应用主要局限于产品如指示灯及数字显示。今天,由于半导体 材料发展及制造工艺的技术突破,LED广泛应用于消费产品及商业用途,如交通灯、手电筒、 大型视频显示、车灯、出口标志等。LED...
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