技术编号:6926073
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种,同时也有关于先利用平坦化结构覆盖部份基极再进行掺杂程序的半导体制造方法。(2)背景技术在部份的半导体制程中,N型晶体管与P型晶体管是在以导体层覆盖底材后,在图案化导体层以形成基极的前便进行掺杂程序。例如在导体层形成后,便先分别对N型晶体管区域与P型晶体管区域进行掺杂;或者是在导体层形成后,便先对某一种晶体管的基极区域进行掺杂,但不对另一种晶体管的基极区域进行掺杂,藉以形成部份晶体管具有掺杂基极导体层,其它晶体管则具有未掺杂基极导体层。这样的...
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