技术编号:6926126
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及将整形为矩形光束的脉冲激光照射到半导体膜对半导体膜进行改性 (reform)的激光退火方法及激光退火装置。背景技术激光退火,是对在由低熔点剥离(通常是无碱玻璃)构成的基板上形成的非晶硅膜 (以下,称为a-Si膜)照射激光束,使其熔融、固化并再结晶化,由此形成多晶硅膜的处理(例 如,参照下述专利文献1)。结晶化了的硅膜与a-Si膜相比电气特性优越,因此在对便携电 话、数字静态摄影机等的要求高精细的显示的液晶显示器进行驱动的晶体管中采用。激光退火如果...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。