技术编号:6926134
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体,并且具体涉及氢钝化的硅(Si)和锗(Ge)半导体表面 的选择性活化。背景技术半导体构成了现代电子学的基础。拥有了可以在导电与绝缘之间进行选择性改性 和控制的物理性质,半导体在大多数现代电气设备中(例如计算机、手机、光电池等)是必 要的。IV族半导体总体上是指在周期表的第四列中的前四种元素(例如碳、硅、锗以及锡)。使用非传统的半导体技术(例如印刷)来沉积半导体材料的能力可以提供简化并 且因此降低许多现代电气设备(例如计算机、手机、光电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。