应变改造复合半导体基片和其形成方法技术资料下载

技术编号:6926279

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本发明大体上涉及用于半导体结构体或装置的制造中的改造基片(engineered substrate)的制造、半导体结构体或装置的制造中形成的中间结构体以及使用改造基片的半导体结构体或装置。背景技术使用包括一层或多层半导体材料的基片来形成各种半导体结构体和装置,包括例如,集成电路(IC)装置(如逻辑处理器和存储装置)、辐射发射装置(如发光二极管(LED)、 共振腔发光二极管(RCLED)和垂直腔表面发射激光器(VCSEL))和辐射传感装置(如光学传感器)。常...
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