技术编号：6926281
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在导热和导电掩模上具有ELOG的半导体结构背景技术异质外延通常被用于在未被晶格匹配的衬底上生成不同种类的材料的分层结构， 并且另外将不会在衬底上形成高质量外延层。例如，因为在GaN和蓝宝石或者蓝宝石上硅之间的相对高程度的晶格失配，所以氮化镓(GaN)并不在由蓝宝石(Al2O3)或者蓝宝石上硅 (SOS)构成的衬底上形成阱。晶格失配通常导致在GaN中的缺陷和位错。为了克服这些问题，典型地，外延横向过生长(印itaxial lateral overgrowth...
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