技术编号：6926329
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别涉及 对基板实施等离子体处理的。背景技术对于对作为基板的晶片实施规定处理的基板处理装置，公知有实施CVD、 PVD等成膜处理的成膜装置、利用等离子体进行蚀刻的蚀刻 装置。近年来，该基板处理装置随着晶片口径的大型化而大型化，所 以，该装置重量的增加便成为问题。因此，多使用轻量的铝部件来作 为基板处理装置的构成部件用的部件。通常，因为铝部件相对于在基板处理装置中实施规定处理所使用 腐蚀性气体、等离子体的耐腐蚀性低，所以，在由该铝部件构成的构 成...
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