技术编号:6926366
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大致上是有关于集成电路,且特别是有关于浅沟渠隔离(Shallow Trench Isolation; STI)区的结构与制造方法。背景技术现代的集成电路是形成在半导体基材的表面上,其中半导体基材大多数是 硅基材。通过形成在各自的半导体基材的表面的隔离结构,数个半导体组件互 相隔离。这些隔离结构包含场氧化物和浅沟渠隔离区。通常利用区域性硅氧化技术(Local Oxidation of Silicon; LOCOS)来形成场 氧化物。一般的工艺包括在硅基...
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