技术编号：6926611
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是涉及包含防止了栅氧化膜的绝缘破坏的的MOS晶体管的。在硅衬底上配置了埋入氧化膜和SOI(绝缘体上的硅)层的SOI衬底上形成的SOI结构的半导体装置(以后，成为SOI器件)可降低寄生电容，具有高速工作和低功耗的特征，被使用于携带装置等中。在此，作为SOI器件的一例，在图41中示出利用槽隔离区导电性地隔离了MOS晶体管间的SOI器件70的局部剖面结构。在图41中，在硅衬底1上配置了埋入氧化膜2和SOI层3的SOI衬底中，在SOI层3上配置了N...
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