技术编号：6926686
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括金属布线层，例如铜(Cu)布线层，的半导体器 件及其制造方法。相关技术说明随着半导体器件的结构变得更加精细，布线层的电阻增加了，并 且层间的寄生电容也增加了。注意，在布线层中电阻的增加和寄生电 容的增加使其时间常数增加，这将延迟布线层中信号的传播。为了降低布线层的电阻，采用Cu而不是铝(Al)作为布线层。但 是，因为难以对Cu进行干蚀刻工艺，所以采用化学机械抛光(CMP) 工艺对被称作金属线镶嵌结构(大马士革结构)的Cu制布线层进行处 理。在...
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