技术编号:6926795
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种NOR型闪存结构及其制造方法,特别关于一种具有高掺杂漏极区 的NOR型闪存(flash memory)结构及其制造方法。背景技术闪存是一种非挥发性(non-volatile)的内存,即在无外部电源供电时,也能够保 存信息内容,这使得装置本身不需要浪费电力在数据的存储上,再加上闪存也具备重复读 写、体积小、容量高及便于携带的特性,这使得闪存特别适合使用在携带式的装置上。目前 NOR型闪存应用的范围,除了个人计算机上的主机板会利用NOR型闪存储存...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。