技术编号：6926810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种原子层沉积设备。背景技术近年来，在DRAM的小型化得到提高和集成度得到增加的情况下，关键的问题之一是保证更大的单元电容。 一种用于保证更大的单元电容的技术是为电容性膜采用高介电常数膜(高-k膜)的方法。典型的高介电常数膜包括，例如，五氧化二钽(Ta205) 、 二氧化铪(Hf02)、二氧化锆(Zr02)等。用于沉积这种膜的典型工艺包括溅射工艺、金属有机化学气相沉积(MO-CVD)工艺、原子层沉积(ALD)工艺等。原子层沉积工艺是涉及由每单个原...
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