技术编号:6926910
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于单电子存储器件,特别是涉及一种基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器及制备方法。目前,人们已经开始对具有更高集成度的存储器件进行研究,希望能够找到解决问题的办法。在过去的几年里,研究工作主要集中在单电子存储器件上,出现了一种具有多隧穿结(MTJ)的纳米线和传统的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)结构的单电子存储器(《应用物理快报》Appl.Phys.Lett.1999,74,1293),尽管这种器件解决了困扰传统存储器的功耗等若...
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