技术编号：6927323
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是涉及一种提高吸除能力、 用于供存储元件、逻辑元件等薄的元件的制造的硅衬底的最佳的技术。本申请对2008年2月29曰申请的曰本专利申请第2008-049847号 主张优先权，将其内容引入本说明书。背景技术包含硅的薄的半导体器件是通过在将利用CZ(直拉)法等拉制的硅 单晶进行切片而制成的硅衬底上形成电路而制造的。硅衬底中混入重金 属杂质时，器件特性会显著恶化。作为硅衬底中混入重金属杂质的主要原因，有第一，在包含提拉 单晶、切片、倒角及抛光、磨...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。