技术编号：6927352
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及， 特别是涉及对基板进行等离子体处理的基板处理装置的电极单元。背景技术对半导体晶片进行等离子体处理的基板处理装置，包括收容半导 体晶片的腔室、配置在该腔室内且载置半导体晶片的载置台、以及配 置成与该载置台相对且向腔室内供给处理气体的喷淋头。载置台与高 频电力源连接并用作下部电极，喷淋头具有圆板状的电极层并用作上 部电极。在基板处理装置中，在载置台以及喷淋头的电极层之间施加 高频电压，腔室内的处理气体被激发而产生等离子体。由于电极层的温度对等离子体...
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