技术编号：6927401

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本发明涉及半导体发光元件(以下简称"发光元件")，特别是涉 io及其发光层由GaN系列半导体晶体(GaN系列晶体)构成的半导体发 光元件。背景技术发光二极管(LED)的基本的元件结构呈这样的结构在晶体衬底 15上依次生长n型半导体层、发光层(包括DH结构、MQW结构、SQW 结构)、p型半导体层，在n型层或导电性晶体衬底(SiC衬底、DaN 衬底等)及p型层各层上形成外部引出电极。例如，图8是表示将GaN系列半导体作为发光层的材料的元件 (GaN系列LED...
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