技术编号:6927406
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。OOOl]本发明涉及一种在真空中快速加热衬底的衬底加热设备、加热方法、以及采用该加热方法的半导体装置制造方法。背景技术为此,热电子不仅沿着进入期望主动加热的传导加热器的侧 表面的方向发射,而且也朝丝极的中心发射和向下发射。这样,例如,在传统的三线圏丝极中,由丝极下方的反射板 反射的热电子因为电场的影响而不期望地集中在传导加热器的上部分 的中心。因此,在远离中心50mm的位置处的温差达到接近IOO匸。由如此加热的衬底制造的装置的特征会变化很大,导致产量 较低...
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