技术编号：6927534
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种GaN基垂直发光二极管，特别是。背景技术目前大多数的GaN基外延主要是生长在蓝宝石衬底上，由于蓝宝石导电性能差，普通的GaN基发光器件采用横向结构，即两个电极在器件的同一侧，电流在n-GaN层中横向流动不等的距离，存在电流堵塞，产生热量；另外，蓝宝石衬底的导热性能低，因此限制了GaN基器件的发光功率及效率。将蓝宝石衬底去除，并将发光器件做成垂直结构可以有效解决散热、出光以及抗静电等问题。对于垂直发光二极管，有源层向下发射的光经P型外延接触金属...
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