技术编号:6927558
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别涉及形成用于对准多层布线中的叠加膜的对准标记的方法。背景技术 近来半导体器件的更高度集成和小型化已经降低了在制造半导体器件时的光刻工艺中的曝光的焦深。这还降低了阶梯部分的容许深度。因此,化学机械抛光(CMP)工艺不仅用于以整体方式整平膜的表面,而且用于在绝缘膜中形成掩埋布线。连接多层布线中的层的栓塞可作为掩埋布线的一个例子。CMP工艺还广泛地适用于形成这种栓塞。当形成多层布线时,必须精确地进行已经形成在衬底上的图形与在光刻工艺中被转录的标准...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。