技术编号:6927564
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非挥发性内存(Non-Volatile Memory)元件的制造方法,且特别涉及一种闪存(Flash Memory)元件的制造方法。典型的闪存是以掺杂的复晶硅制作浮置栅极(Floating Gate)与控制栅极(Control Gate)。当内存进行程序化(Program)时,适当的程序化电压分别加到源极区、漏极区与控制栅极上,电子将由源极区经由信道(Channel)流向漏极区。在此过程中,将会产生热电子穿过复晶硅浮置栅极层下方的穿隧氧化层(...
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