技术编号:6928363
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种半导体制造方法,特别是关于一种半导体制程中离子注入的方 法。背景技术在半导体制程中,为了在绝缘的硅片中形成可以导电的元件,通常需要对硅片中 掺杂不同的离子,以使其能够导电,该步骤通常称为离子注入。随着半导体制程的不断发 展,对注入条件提出越来越苛刻的要求,离子注入的深度越来越浅,注入时的能量越来越 小,而注入的离子剂量则越来越大。现有的离子注入机台对于低能量大剂量的注入,通常选用双减速模式(double decel)来完成类似的注入。即离子...
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