技术编号：6928371
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种二极管制造工艺，具体涉及一种稳压二极管制造工艺。 背景技术稳压二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器 件，其主要作为稳压器或电压基准元件使用。现有稳压二极管的制造方法是以外延片为基本材料，外延片是一种具有高浓度N型或P型单晶硅衬底上通 过外延方法生长一层低浓度的N型或P型单晶硅，在该外延层上依次通过以 下步骤热氧化、光刻、离子注入、杂质掺入、推结、光刻、金属化、合金 等工序在外延片上形成PN结构和电极，制成稳压二极管。现有...
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