技术编号:6928439
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体集成电路领域,具体地说是一种用于绝缘体上硅(SOI)材料上深槽全介质隔离结构的填充方法。 背景技术在高低压功率集成电路中,最大的难题之一是做到高低压部分的完全隔离。因 为高低压电路做在同一个衬底上,器件注入衬底中的载流子会被邻近的大面积功率器件 所收集,这样可能会引起功率器件的误开启,这就是限制高低压电路难以集成的一个主 要因素。器件隔离的理想方法应当是将每个器件都完全包在一个绝缘材料中。而随着 SOI(绝缘体上硅)键合技术的日益成熟,...
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