技术编号:6928957
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造技术,特别涉及一种在器件的掺杂多晶硅沟槽上形成 钛化硅(TiSi2)层的方法。背景技术随着半导体器件的发展,如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的发展,半 导体器件的导通速度成为了半导体器件质量好坏的重要判断标准。在制造半导体器件时, 自对准钛化硅方法被引进来,作为提高具有掺杂多晶硅沟槽器件的导通速度手段。自对准 钛化硅方法就是在器件的掺杂多晶硅沟槽上制作氧化硅侧墙后,再沉积TiSi2层,其中,氧 化硅侧墙避免了掺杂多晶硅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。