技术编号：6928966
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED,特别涉及一种高In组分多种 成分的InGaN/GaN量子阱结构的LED。背景技术GaN基III-V族氮化物是重要的直接带隙的宽禁带半导体材料。GaN基材料具有优异的机 械和化学性能，优异的光电性质，室温下其带隙范围从0.7eV(InN)到6.2eV(AlN)，发光波长 涵盖了远红外，红外，可见光，紫外光，深紫外，GaN基材料在蓝光，绿光，紫光及白光二极 管等光电子器件领域有广泛的应用背景。近几...
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