技术编号:6928968
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别涉及一种芯片侧壁被粗化的发光二 极管芯片及其制造方法。背景技术以GaN为代表的新一代半导体材料以其宽直接带隙(Eg=3.4eV)、高热导率、高硬度、 高化学稳定性、低介电常数、抗辐射等特点获得了人们的广泛关注,在固态照明、固体激光 器、光信息存储、紫外探测器等领域都有巨大的应用潜力。按中国2002年的用电情况计算, 如果采用固态照明替代传统光源, 一年可以省下三峡水电站的发电量,有着巨大的经济、环 境和社会效益;而据美国能源部测算,到201...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。