技术编号:6928971
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,尤指一种MOS晶体管的形成方法及其阈值电压 调节方法。背景技术目前,由于集成电路的集成度越来越高,器件的尺寸越来越小,器件的特征尺寸 (CD)从0. 13μπι向0. ΙΟμπι以下的区域进行开发。随着半导体器件向高密度和小尺寸发 展,金属一氧化物一半导体(MOS)器件是主要的驱动力。阈值电压(Vt)和驱动电流(Id) 是MOS晶体管的两个重要的电参数,也是在制造工艺中的重要控制参数。不同的核心电路 (Core)和输/入/输出电路(I...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。