技术编号:6928974
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造工艺,特别涉及一种改善栅极特征线宽均勻性的方法。 背景技术目前,特征线宽均勻性(Critical Dimension Uniform,CDU)是半导体器件制造工 艺中需要考察的重要指标。随着工艺的不断进步,特征线宽已减小到纳米级别,而特征线宽 均勻性的问题也随之变得越来越突出。通常,在半导体制造工艺中,刻蚀偏移量(etch bias)等于显影后检测(After Development Inspection,ADI)的特征尺寸减去亥I...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。