技术编号：6928981
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，特别涉及。背景技术随着半导体制造工艺的不断发展，器件的尺寸也不断缩小。例如对于MOS场效应 管，其栅极尺寸不断缩小，相应地，沟道长度也不断缩短而产生短沟道效应，使得例如MOS 场效应管的阈值电压降低。为了提高器件性能，现有普遍采用超浅结技术来抑制短沟道效 应，即通过降低所述MOS场效应管源/漏区的结深，以减小源/漏区和衬底之间的电容，来 抑制短沟道效应。现有技术一般是在形成源/漏轻掺杂区注入之后，进行快速热退火。即，在栅极两 侧的...
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