技术编号:6928989
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,具体涉及金属氧化物不挥发存储器技术,尤其涉及 包括WOx基存储介质的电阻型存储器及其制造方法。背景技术存储器在半导体市场中占有重要的地位,由于便携式电子设备的不断普及,不挥 发存储器在整个存储器市场中的份额也越来越大,其中90%以上的份额被FLASH占据。但 是由于存储电荷的要求,FLASH的浮栅不能随技术代发展无限制减薄,有报道预测FLASH技 术的极限在32nm左右,这就迫使人们寻找性能更为优越的下一代不挥发存储器。最近电阻 转换存储...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。