技术编号:6929120
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域,具体地 说属于一种氮掺杂氧化锌P型稀磁半导体材料的制备方法。背景技术作为半导体使用的Zn0为II-VI族氧化物,是离子性很强的、具 有纤锌矿结构的晶体,其能带结构为直接带隙结构,室温下的禁带宽 度为3. 37 eV。由于Zn0具有GaN及其他宽禁带半导体材料所不能及的 特性,包括高达60meV的室温离子束缚能、良好的化学稳定性和热稳 定性及相对温和的生成条件,故在自旋半导体、压电、热电、光电 导、气敏等多种应用...
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