技术编号：6929124
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作工艺，更具体地说，涉及一种槽刻蚀及多晶硅注入工艺。 背景技术在纵向器件的制作工艺过程中，纵向槽蚀刻后的角度，蚀刻后槽侧壁毛刺的处理、 多晶硅对高深宽比的槽的填充能力、槽侧壁与多晶硅之间的接触，往往是决定整个工艺成 败关键发明内容 本发明提供一种能够提供良好的槽以及在槽中沉积多晶硅的工艺。根据本发明的一方面，提供一种槽刻蚀及多晶硅注入工艺，在衬底上开槽并注入 多晶硅，包括在衬底上生长氧化层作为阻挡层；在需要开槽的区域进行光刻版定义；用光刻...
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