技术编号:6929125
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作工艺,更具体地说,涉及一种多晶硅淀积工艺。 背景技术在孔中淀积多晶硅是半导体制作工艺中的一个重要步骤,多晶硅对孔得填充程度直接决定了期间的性能。多晶硅对于孔良好的填充应具有以下的特征孔填充后没有空隙 或空隙很小。对于具有高深宽比的孔,要做到填充后没有空隙或空隙很小有些难度。因为在 填充的过程中,由于反弹、溅射等等的效应,孔口的多晶硅的生长速度会大于底部,往往在 孔口已经被封闭的情况下,孔的内部还没有完成填充,于是,就会形成空隙并影响器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。