技术编号:6929130
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及接触孔的制作工艺。 背景技术随着半导体制造技术的飞速发展,为了达到更快的运算速度、更大的数据存储量 以及更多的功能,半导体芯片朝着高集成度方向发展,器件尺寸越来越小。在小尺寸的半导体器件制作工艺中(例如0. 13um及其以下),存在不同器件之间 或者同一器件的源漏极与栅极共享接触孔的情况,参考附图1所示,即为同一器件的源漏 极与栅极共享接触孔的情况。附图1中所示的半导体器件结构,包括半导体衬底100以及位 于半导体衬底100上...
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