技术编号：6929207
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉 及半导体制造领域，且特别涉及一种。 背景技术在现有的晶圆背面金属工艺中，当晶圆背面被研磨到200微米之后，就使用一种 专门的化学混合蚀刻剂，提供背面金属黏着性最佳的去光泽及粗糙化表面。在进行化学蚀 刻反应时，在硅晶圆被蚀刻的同时会产生氧化和逸气(out-gassing)现象，因而造成硅晶 圆表面产生高低起伏的粗糙形态。湿式化学蚀刻可以提供介于0. 44至1. 77微米间的晶圆表面的均勻粗糙度。这些 晶圆表面的粗糙处理可以经由使用不同的化学蚀刻剂和...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。