技术编号：6929431
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路加工制造技术，具体涉及浅沟槽隔离结构(shallowTrench Isolation, STI)的制作方法。背景技术在集成电路加工制造过程中，晶圆(wafer)的加工工艺处于最为核心和关键的地 位，晶圆加工工艺的质量对于最终得到的门电路的工作性能具有决定性的影响。其中，制作 STI是wafer的前端加工工艺流程中必不可少的一道工序。现有的通常包括如下步骤，参考附图1所示，提供半 导体衬底100，随后，在半导体衬底上依次形成氧化物层110和...
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